松下在“ISPSD 2016”上发表了比该公司原产品减小了GaN功率晶体管特性误差的成果，成功将阈值电压的误差降到了原来1/3以下，将导通电阻的误差降到了原来约1/3。

　　松下的GaN功率晶体管，采用在Si基板上依次层叠GaN和AlGaN的HEMT结构。一般而言，HEMT结构会在GaN与AlGaN的界面上发生二维电子气，从而实现常开工作。松下采用在栅极下面的AlGaN层上开凹槽的“凹槽结构”，并在凹槽中形成p型GaN层，从而实现了常闭工作。

　　这时，晶体管导通的阈值电压取决于凹槽下面的AlGaN厚度（位于凹槽底与GaN层之间的AlGaN的厚度）。不过，利用干蚀刻开凹槽时，凹槽的深度会有误差，导致凹槽下的AlGaN层的厚度不均，从而使阈值电压出现个体差异。

　　因此，松下此次采用了在开完凹槽后使AlGaN层再生长的方法。具体次序如下：首先，在Si基板上设置GaN和AlGaN的外延层。其次，开凹槽。原来要稍微保留AlGaN，而此次深挖到AlGaN层下的GaN层。接着，使AlGaN层再生长。之后再设置p型GaN层。

　　利用这种方法，抑制了阈值电压和导通电阻的误差。具体而言，采用原来方法，阈值电压为1.58V时，标准偏差（σ）为229mV。而采用此次的方法，阈值电压为1.57V时，标准偏差（σ）为63mV。原来方法下，导通电阻为53.7mΩ时，σ为3.0mΩ，而采用此次的方法，相同导通电阻下，σ为1.1mΩ。

　　另外，可以根据再生长的AlGaN层的厚度，改变阈值电压。范围在1.0～2.3V。